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４５ナノの次世代半導体生産へ 米インテル、今年後半から
【ニューヨーク２７日共同】米半導体最大手インテルは２７日、回路線幅で４５ナノメートル（ナノは１０億分の１）サイズとなる次世代半導体の製造技術の一部を公開、今年後半から生産を開始する方針と発表した。
実用化されている半導体の最小路線幅は６５ナノ。電流漏れを防ぐために新素材を採用した次世代半導体は、６５ナノの半導体に比べ処理スピードが２０％向上し、消費電力が低減する。
米メディアによると、ＩＢＭも半導体大手アドバンスト・マイクロ・デバイシズ（ＡＭＤ）と共同で同サイズの半導体開発に成功し、量産にめどをつけた。
路線幅の縮小はパソコンや携帯電話など電子機器の小型化や省電力などにつながるため、米国、日本、韓国メーカーなどが激しい開発競争を繰り広げている。
【共同通信】
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